端粒在As2O3致L02和HepG2细胞凋亡及染色体畸变中的作用

• 作者: 刘小敏 宋颖 张扬 曾春亚 梁晓秋
• 来源期刊: 南华大学学报(医学版)
• 学科: 医学
• 关键词: 三氧化二砷(As2O3) 端粒酶 端粒
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 基础论著
• 页码范围: 316-320
• 页数: 5页
• 分类号: R73
• 字数: 3794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1116.2007.03.004

摘要

目的 探索端粒、端粒酶活性及端粒逆转录酶基因表达在As2O3诱导L02和HepG2细胞凋亡及染色体畸变过程中的作用.方法 12μmol/L As2O3处理L02和HepG2细胞24、48、72 h,以处理0h作为对照组,流式细胞仪检测细胞凋亡;应用以PCR为基础的端粒重复序列扩增(TRAP-PCR)银染法检测端粒酶活性;逆转录聚合酶链反应(RT-PCR)检测端粒逆转录酶(hTERT)mRNA表达;0.625 μmol/LAs2O3处理L02和HepG2细胞2、4、6周,以处理0周作为对照组,染色体核型分析检测细胞染色体畸变;检测端粒酶活性及端粒逆转录(hTERT)mRNA表达.结果 12 μmol/L As2O3处理L02和HepG2细胞凋亡率较对照组增加(P＜0.05);端粒酶活性及hTERTmRNA的表达较对照组均明显下降(P＜0.05).0.625 μmol/L As2O3处理L02和HepG2细胞,染色体端-端融合及双微体的畸变率较对照组增加(P＜0.05);端粒酶活性及hTERTmRNA的表达增加(P＜0.05).结论 高浓度As2O3短期处理L02和HepG2细胞可诱导其凋亡.而低浓度As2O3长期处理L02和HepG2细胞可导致染色体畸变,畸变可使基因组不稳定是细胞癌变的基础.端粒、端粒活性及hTERTmRNA表达在此过程中的不同变化也许可部分解释As2O3抗癌和致癌的矛盾作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋颖	南华大学肿瘤研究所	49	565	13.0	22.0
2	刘小敏	南华大学肿瘤研究所	28	97	6.0	8.0
3	梁晓秋	南华大学肿瘤研究所	45	248	9.0	12.0
4	张扬	南华大学肿瘤研究所	3	1	1.0	1.0
5	曾春亚	南华大学肿瘤研究所	3	12	2.0	3.0