添加剂对Cu/Co多层膜电结晶成核机理及磁性的影响

• 作者: 印仁和 姬学彬 张磊 曹为民 曹赟 石新红
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: 电结晶 Cu/Co多层膜 成核 巨磁阻效应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1-4,26
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153
• 字数: 2605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2007.01.001

摘要

在硼酸镀液中以单晶Si(111)为基底用双槽法制备Cu/Co多层膜,在镀液中分别加入了镀铜添加剂2000#和镀钴添加剂5#.探讨了镀层电结晶成核机理,在基础镀液中铜电结晶为三维连续成核过程,钴电结晶在较低电位下为三维连续成核,在较高电位下为三维瞬时成核过程.加入添加剂后,铜、钴电结晶均为三维瞬时成核过程.测试了Cu/Co多层膜的磁性能;添加剂能提高多层膜的磁性能,无添加剂的Cu/Co多层膜的巨磁阻(GMR)值约为5%,而在加入了添加剂后,其GMR值高达52%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹为民	上海大学理学院化学系	36	349	12.0	17.0
2	印仁和	上海大学理学院化学系	60	427	11.0	16.0
3	张磊	上海大学理学院化学系	32	158	9.0	11.0
4	姬学彬	上海大学理学院化学系	9	65	6.0	8.0
5	石新红	上海大学理学院化学系	8	45	5.0	6.0
6	曹赟	上海大学理学院化学系	1	1	1.0	1.0