立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展

• 作者: 张兴旺 游经碧 陈诺夫
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼薄膜 异质外延 应力 粘附性
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 385-390
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 6515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.001

摘要

立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质,在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景.自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮.近年来,c-BN薄膜研究在几方面取得了突破,如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜;成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长;此外,在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展.本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴旺	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	30	153	8.0	10.0
2	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	33	154	6.0	11.0
3	游经碧	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	2	11	2.0	2.0