原文服务方: 杭州电子科技大学学报(自然科学版)       
摘要:
化学气相沉积法制备六方氮化硼原子层薄膜一直是研究的热点和难点,薄膜结晶质量会直接影响到石墨烯晶体管中石墨烯电子迁移率的高低. 为提高六方氮化硼原子层薄膜的结晶质量,采用低压化学气相沉积法,以硼烷氨作为前驱物,铜箔作为基底,研究了氢气流量和前驱物温度对六方氮化硼原子层薄膜生长的影响. 研究结果发现,较低的氢气流量有助于薄膜的连续生长,而前驱物温度对薄膜生长影响较小.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 六方氮化硼原子层薄膜的制备研究
来源期刊 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 学科
关键词 六方氮化硼 氢气流量 前驱物温度 低压化学气相沉积
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 基础研究
研究方向 页码范围 101-105
页数 5页 分类号 O484.1
字数 语种 中文
DOI 10.13954/j.cnki.hdu.2015.05.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕燕飞 杭州电子科技大学材料物理研究所 13 22 2.0 4.0
2 赵士超 杭州电子科技大学材料物理研究所 11 7 2.0 2.0
3 李玉伟 杭州电子科技大学材料物理研究所 1 4 1.0 1.0
4 张琪 杭州电子科技大学材料物理研究所 3 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
六方氮化硼
氢气流量
前驱物温度
低压化学气相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
杭州电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-9146
33-1339/TN
chi
出版文献量(篇)
3184
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