ICP刻蚀技术在808 nm激光器中的应用

• 作者: 王致远
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 选择比 刻蚀损伤
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2353字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了GaAlAs/GaAs多层结构波导的ICP(inductiveIy coupled plasma)刻蚀,评述了使用PECVD制作的SiO2做掩膜的优点,分析了气体选择比对侧向钻蚀控制的影响,并初步分析了刻蚀损伤.比较了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响,包括刻蚀侧壁角度,刻蚀表面平整度,选择比,侧向钻蚀等几个方面,并对ICP刻蚀对激光器性能的影响.通过对刻蚀图形的控制,使2 in.芯片内均匀性<±5%,侧壁角达到79°-81°,最后给出了经干法与湿法刻蚀后,器件的一些性能参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王致远	重庆邮电大学光电工程学院	5	10	2.0	3.0