Fe-SiO2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应

• 作者: 席力 李伟 李成贤 杨啸林 葛世慧
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 颗粒膜 隧道磁电阻效应 巨霍耳效应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 2288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2007.01.004

摘要

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜.系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE).在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ·cm.在300℃以内的不同温度下将Feo0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性.这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛世慧	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	18	75	5.0	8.0
2	李伟	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	53	267	8.0	13.0
3	李成贤	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	10	78	5.0	8.0
4	席力	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	27	89	6.0	9.0
5	杨啸林	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	4	33	3.0	4.0