Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

• 作者: 席力 杨啸林 葛世慧 阮成礼
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 颗粒膜 磁性 电阻率 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 964-966
• 页数: 3页
• 分类号: O482.54
• 字数: 1873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2006.06.029

摘要

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理.在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5μΩ·cm.样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用.在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮成礼	电子科技大学物理电子学院	55	513	14.0	19.0
2	葛世慧	兰州大学教育部应用磁学开放实验室	18	75	5.0	8.0
3	杨啸林	电子科技大学物理电子学院	5	9	2.0	3.0
4	席力	兰州大学教育部应用磁学开放实验室	27	89	6.0	9.0