利用正硅酸乙酯制备二氧化硅膜

• 作者: 李艳琼 杨茂文 汪建华 王升高 王涛 程莉莉
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅膜 正硅酸乙酯 微波等离子体化学气相沉积法 表面反应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 2133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2007.02.016

摘要

以正硅酸乙酯为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下在Si基片上制备了SiO2 膜,着重研究了正硅酸乙酯注入位置对SiO2膜结构的影响.实验表明,在利用等离子体化学气相沉积法制备SiO2膜时,表面反应是低温条件下获得高质量膜的重要条件之一;同时射频偏压的使用有利于提高膜的致密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王升高		3	12	2.0	3.0
2	杨茂文		5	15	2.0	3.0
3	王涛		1	7	1.0	1.0
4	李艳琼		1	7	1.0	1.0
5	程莉莉		1	7	1.0	1.0
6	汪建华		7	30	4.0	5.0