多孔硅层的剥离及反射率研究

• 作者: 张宇翔 李红菊 王俊平 郭敏 陈庆东 高哲
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 电化学腐蚀 剥离 反射率
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1435-1439
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.050

摘要

通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线.结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭敏	郑州大学材料物理教育部重点实验室	58	282	10.0	14.0
2	张宇翔	郑州大学材料物理教育部重点实验室	45	274	10.0	14.0
3	高哲	郑州大学材料物理教育部重点实验室	6	15	3.0	3.0
4	陈庆东	郑州大学材料物理教育部重点实验室	6	12	3.0	3.0
5	王俊平	郑州大学材料物理教育部重点实验室	41	285	10.0	14.0
6	李红菊	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	32	3.0	5.0