应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

• 作者: 孙长征 张明俊 熊兵 罗毅 蔡鹏飞
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阻抗匹配 Ta2N薄膜 接触电阻 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 344-348
• 页数: 5页
• 分类号: TN454
• 字数: 3545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.05.007

摘要

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6 Ω·cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.