一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计

• 作者: 杨智峰 王玲玲 王进军 田泽 蒋敏 詹科
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 误差放大器 弥勒补偿 共模拟制比 电源拟制比 转换速率
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 216-219
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.04.064

摘要

采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V～6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度.模拟结果表明:在2.5V～6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V～1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为A v≈75dB,相位裕度φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王进军	西北大学信息科学与技术学院	8	44	5.0	6.0
2	田泽	西北大学信息科学与技术学院	28	261	10.0	15.0
3	蒋敏	西北大学信息科学与技术学院	2	18	2.0	2.0
4	王玲玲	西北大学信息科学与技术学院	1	10	1.0	1.0
5	杨智峰	西北大学信息科学与技术学院	2	18	2.0	2.0
6	詹科	西北大学信息科学与技术学院	2	18	2.0	2.0