基于嵌入式密勒补偿技术的LDO放大器设计

• 作者: 冯全源 杨锦文
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: LDO 频率补偿 放大器 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 198-200
• 页数: 3页
• 分类号: TP342
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.03.056

摘要

利用嵌入式密勒补偿技术,我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器.在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下,该放大器还具备高增益和较高的电源抑制比.结果表明:在3V工作电压下,其直流开环增益AV=87dB,增益带宽GB=12MHz,相位裕度=63°,电源抑制比PSRR=72.6dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	杨锦文	西南交通大学微电子研究所	1	21	1.0	1.0