ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化过程中负向电压对陶瓷膜层形成的影响

• 作者: 刘向东 刘彩文 刘永珍 王晓军 韩春霞
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微弧氧化 负向电压 陶瓷膜层
• 年，卷（期）: 2007,（z3）
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.4
• 字数: 3559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z3.028

摘要

在交流条件下,采用硅酸钠电解液,通过调节不同的负向电压值,在ZAlSi12Cu2Mg1合金表面制得了微弧氧化陶瓷膜层.研究了不同的负向电压值对陶瓷膜层形成过程的影响.结果表明:负向电压从80V到160V变化时,氧化时间从5 min延长到65 min,膜层厚度从28 μm增加到208μm,致密度从0.267 g/cm3增大到1.048 g/cm3,特别是微弧氧化第2阶段氧化时间,在负向电压为160 V时持续了32 min,试样表面逐渐变粗糙;在电解液组成为NaSiO38 g/L,NaOH 2 g/L,Na2EDTA 2g/L下,适宜的正/负向电压值为480/140 V,获得厚度为166 μm的膜层.XRD分析表明:陶瓷层主要由莫来石、α-Al2O3和γ-Al2O3以及氧化铝的非晶物质组成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘向东	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	106	541	11.0	18.0
2	刘永珍	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	5	28	3.0	5.0
3	王晓军	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	8	53	4.0	7.0
4	韩春霞	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	6	32	4.0	5.0
5	刘彩文	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	20	78	5.0	8.0