英飞凌利用多栅技术取得创新突破：三维制胜——全新半导体结构大幅度改善能源效率

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 多栅技术 能源效率 半导体结构 幅度 场效应晶体管 三维 创新 65nm工艺
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 77
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

2006年12月4日，幕尼黑讯多栅场效应晶体管技术有望成为应对集成电路小型化所带来的各种技术挑战的理想解决方案。与当今的平面单栅技术相比，多栅技术能够在保持高功能性的同时大幅度削减功耗。在这项新技术的一次演示中，英飞凌研究人员成功测试世界上第一个运用全新65纳米多栅晶体管结构制造的复杂集成电路。与目前具有同等功能与性能的平面单栅晶体管相比，全新晶体管的尺寸要小30％，静态电流值降低了十倍。据研究人员计算，这种多栅技术将大大提高移动设备的能源效率和电池工作时间（比已经投产的65nm工艺高出一倍）。对于未来技术节点（32nm及更高水平），能源效率的提高幅度将更大。