低噪声放大器的集成设计及测试

• 作者: 张斌 王亮 费元春
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 赝品高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 微波单片集成电路 宽带
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 测试系统与组件
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 分类号: TH866
• 字数: 1011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-7300.2007.12.050

摘要

根据低噪声放大器的设计原理、结合南京电子器件研究所提供的器件模型,设计了S波段单片低噪声放大器,并在该所的砷化镓(GaAs)工艺线上流片生产,最后进行了测试.在2.2～2.8 GHz,增益大于21 dB,噪声系数小于1.95 dB,输入、输出驻波比小于1.45,在2.5 GHz处1 dB压缩输出功率大于11 dBm.测试结果表明,该电路易于集成、性能可靠,但驻波比还有待改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	费元春	北京理工大学信息科学技术学院微波技术研究所	110	1140	17.0	28.0
2	王亮	北京理工大学信息科学技术学院微波技术研究所	20	176	7.0	13.0
3	张斌		25	123	7.0	10.0