SnO2掺杂对TiO2/Si纳米复合材料性能的影响

• 作者: 付贤智 刘平 李旦振 陈顺玉
• 来源期刊: 分子科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 TiO2-SnO2/Si 煅烧温度 光电效应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 字数: 2849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9035.2007.01.004

摘要

采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合材料的高温稳定性增强.另外,SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响.当SnO2掺杂量约为20%,煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付贤智	福州大学光催化研究所	104	3272	28.0	55.0
2	李旦振	福州大学光催化研究所	41	1213	18.0	34.0
3	刘平	福州大学光催化研究所	34	1018	15.0	31.0
4	陈顺玉	福建师范大学化学与材料学院	21	159	8.0	12.0