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PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation
PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation
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摘要：
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聚酯无纺布支撑CaAlg/CaSiO3@SiO2的制备及其对Pb2+的吸附
硅酸钙
海藻酸钙
介孔SiO2
聚酯无纺布
Pb2+吸附
采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料
SiO2f/SiO2复合陶瓷
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抗剪强度
WO3-SiO2模型催化剂孔径对C2H4-C10H20歧化性能的影响
模型载体
催化剂
歧化反应
Adsorption characteristics of copper ion on nanoporous silica
Nanoporous silica
Copper ion
Adsorption
内容分析
关键词云
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文献信息
| 篇名 | PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 无定形二氧化硅 铅离子 发光性能 离子辐照 掺杂 电子 湿氧化 碳离子 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 66 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN104.3 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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无定形二氧化硅
铅离子
发光性能
离子辐照
掺杂
电子
湿氧化
碳离子
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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1640
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