熔硅浸渗工艺快速制备C/SiC复合材料的非等温氧化行为

• 作者: 姜四洲 熊翔 肖鹏 闫志巧 黄伯云
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: C/SiC复合材料 C/C复合材料 熔硅浸渗 氧化动力学 机理
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 页码范围: 1597-1603
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 字数: 4860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2007.10.007

摘要

以针刺整体毡为预制体,采用化学气相沉积(CVD)增密制备C/C多孔体,用熔硅浸渗(MSI)工艺快速制备C/SiC复合材料,通过非等温热重分析研究材料低温下的氧化反应动力学和反应机理.结果表明:C/SiC材料的非等温氧化过程呈现自催化特征,氧化机理为随机成核,氧化动力学参数为:1g(A/min-1)=8.752,Ea=169.167 kJ/mol.MSI工艺中,纤维因硅化损伤产生的活性碳原子易先发生氧化,使C/SiC材料起始氧化温度仅为524℃,比C/C材料约低100℃,且氧化产生大量的裂纹和界面,使材料在氧化初期即具有大的氧化反应速率,C/C材料则出现氧化反应速率滞后现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	345	3793	27.0	39.0
2	黄伯云	中南大学粉末冶金国家重点实验室	607	8891	43.0	60.0
3	肖鹏	中南大学粉末冶金国家重点实验室	157	1541	19.0	30.0
4	闫志巧	中南大学粉末冶金国家重点实验室	26	260	10.0	14.0
5	姜四洲	中南大学粉末冶金国家重点实验室	5	22	3.0	4.0