V2O5对BaTiO3-Y2O3-MgO陶瓷性能的影响

• 作者: 周晓华 张树人 李波
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸钡 五氧化二钒 显微结构 介电性能 多层陶瓷电容器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 706-710
• 页数: 5页
• 分类号: TM534
• 字数: 3089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.027

摘要

研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能.SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长,降低陶瓷致密度.XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相,其固溶度＞1.0mol%.研究表明,V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散,改变掺杂离子在晶粒中分布,从而形成薄壳层的壳芯晶粒,因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性.多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主,能增强瓷料的抗还原性,提高绝缘电阻率(1013Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%).该体系掺杂0.1mol%V时,介电常数达到2600,满足X8R标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
2	周晓华	电子科技大学微电子与固体电子学院	70	468	11.0	17.0
3	李波	电子科技大学微电子与固体电子学院	69	486	12.0	17.0