反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响

• 作者: 史志铭 张瑞英 张秀云 张秀梅
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制冷材料 Bi2Te3 固相反应烧结
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1998-2000
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.006

摘要

以Bi和Te的单质为原料,用固相反应烧结法制备Bi2Te3 P型半导体制冷材料.实验采用X射线衍射仪、莱卡光学显微镜分析压制工艺对材料组织性能的影响.实验结果表明:压力增加,塞贝克系数减少.压力较小时有BiTe存在,压力增加BiTe减少,Bi2Te3增加,300KN时基本为纯Bi2Te3

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史志铭	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	73	283	9.0	13.0
2	张秀云	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	38	173	8.0	11.0
3	张瑞英	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	41	128	7.0	10.0
4	张秀梅	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	13	82	6.0	9.0