空心阴极等离子烧结SiC陶瓷工艺研究

• 作者: 王从曾 谢昊男
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 空心阴极 等离子 烧结 SIC
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.411

摘要

将空心阴极效应运用于SiC陶瓷的烧结，选用纯SiC粉体为原料，在不添加烧结助剂的条件下，进行了烧结试验，并探讨了工艺参数的影响。结果表明：空心阴极烧结工艺可制备出致密度较高的SiC陶瓷。2200℃，保温3h的烧结条件下，获得相对密度为95％SiC烧结体。烧结体的断口SEM照片显示烧结试样的晶粒生长发育较为完善，气孔和晶界相对较少，断裂模式为穿晶断裂。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王从曾	北京工业大学材料科学与工程学院	37	306	11.0	16.0
2	谢昊男	北京工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0