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摘要:
将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu复合薄膜应用于CdS/CdTe太阳电池,作为碲化镉与金属背电极间的过渡层.比较了有无ZnTe复合背接触层的两种CdTe电池的光、暗电流-电压(I-V)曲线和电容-电压(C-V)特性,并研究了本征ZnTe薄膜厚度和背接触层的退火温度对电池性能的影响.结果表明,有复合背接触层的CdTe光伏器件,能够消除暗I-V曲线饱和与光、暗I-V曲线交叉现象,且填充因子在没有高阻透明薄膜的情况下达到了73%.结合CdTe电池的能带图讨论了其中的原因.
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CdTe太阳电池
内容分析
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文献信息
篇名 ZnTe/ZnTe:Cu复合背接触层对CdTe太阳电池器件性能的影响
来源期刊 中国科学E辑 学科 化学
关键词 ZnTe薄膜 ZnTe:Cu薄膜 背接触 CdTe太阳电池
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-25
页数 6页 分类号 O6
字数 2619字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.01.004
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节点文献
ZnTe薄膜
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研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学(技术科学)
月刊
1674-7259
11-5844/TH
北京东黄城根北街16号
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
5
总被引数(次)
45315
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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