(ZnS)6～12团簇三阶非线性光学性质的理论研究

• 作者: 张乾二 张欣 林梦海 谭凯 黄婷婷
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: ZnS 半导体团簇 三阶非线性光学性质 理论计算
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1126-1130
• 页数: 5页
• 分类号: O641
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2007.06.024

摘要

在TDDFT/Lanl2DZ+6-31G*水平下对(ZnS)6～12半导体团簇的三阶非线性光学性质进行了计算, 并用态求和(SOS)方法得到静态三阶宏观极化率χ(3)和0～2.5 eV范围内输入光子能量对三阶微观极化率γ的动态行为. 结果表明, (ZnS)6～12的χ(3)值比其它半导体团簇的略好. 且(ZnS)7和(ZnS)11分别在1.6和2.0 eV处出现了很大的γ值, 为-2.38×10-33和1.26×10-33 esu. 在此输入光子能量处激发, 它们将会产生很强的三阶非线性光学效应.