一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究

• 作者: 何永华 房世林 李月影
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 叠柵 OTP 数据保持 嵌入式
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 395-397
• 页数: 3页
• 分类号: TP333|TN43
• 字数: 1035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.013

摘要

对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入阈电压漂移小于10%,嵌入式OTP产品(64k*8位)可靠性评估存储器的数据保持能力大于十年.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房世林	东南大学集成电路学院	1	4	1.0	1.0
2	李月影		1	4	1.0	1.0
3	何永华		1	4	1.0	1.0