热处理气氛对铈离子掺杂SiO2发光性能的影响

• 作者: 吴玉程 徐光青 汤文明 郑治祥
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光性能 气氛 Ce3+离子掺杂 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2007.03.009

摘要

采用溶胶-凝胶技术制备了Ce3+离子掺杂的SiO2粉体,并在H2、Ar和空气三种气氛中分别进行1000℃保温2h的热处理.采用红外光谱仪、紫外-可见吸收光谱仪以及荧光光谱仪对热处理前后成分以及光学性能进行测试,研究不同气氛中的热处理对SiO2粉体中的Ce3+离子光学性能的影响.结果表明,在H2和Ar气氛中热处理,相对于空气气氛而言,样品的发光强度有明显的增强.其中H2气氛中处理的样品发光强度约为空气气氛中处理样品发光强度的12倍.同时热处理气氛的改变也可以通过影响Ce3+离子配位场使其发光波长产生漂移,氢气中处理的样品发光峰位于435 nm,氩气中处理的样品发光峰位于455 nm,而空气中处理的样品发光峰位于445 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
2	徐光青	合肥工业大学材料科学与工程学院	54	383	10.0	16.0
3	郑治祥	合肥工业大学材料科学与工程学院	157	2008	24.0	36.0
4	汤文明	合肥工业大学材料科学与工程学院	104	841	16.0	23.0