溅射条件对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻的影响

• 作者: 孙文博 王合英 茅卫红
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 工学
• 关键词: Ni80Fe20薄膜 各向异性磁电阻 基片温度 溅射气压
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 3-5,9
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TB34
• 字数: 3310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2007.08.001

摘要

研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150～180 ℃,溅射气压在0.3～0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻(3.7%～4.3%).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茅卫红	清华大学物理系	10	70	4.0	8.0
2	王合英	清华大学物理系	30	149	7.0	10.0
3	孙文博	清华大学物理系	27	143	7.0	10.0