电子辐照SiO2能量沉积计算方法研究

• 作者: 张国生 王成 王政平 马任德
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 计算方法 电子辐照 二氧化硅 能量沉积
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 715-718
• 页数: 4页
• 分类号: O434.1|TN305.94
• 字数: 2672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7043.2007.06.024

摘要

将二氧化硅分子等价成一个原子,以其等价原子序数和原子量为主要参量建立了一个系统的能量沉积计算体系,仿真计算了0.1～1 MeV平行平面电子束垂直辐照二氧化硅时的能量沉积.因计算需要定义了2个新函数Q(z)和W(z),分别用来描述电子能量和数量传输系数的变化快慢,对其的仿真结果可直观地描述电子在二氧化硅中的沉积规律.该研究结果可为研究电子辐照二氧化硅时的最佳能量选择提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王政平	哈尔滨工程大学理学院	92	841	16.0	24.0
2	张国生	哈尔滨工程大学理学院	20	63	5.0	6.0
6	王成	哈尔滨工程大学理学院	23	128	7.0	10.0
7	马任德	哈尔滨工程大学理学院	4	17	3.0	4.0