退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响

• 作者: 何业东 吕亚平 杨宏 毛卫民
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝箔 氧化膜 腐蚀 扩散
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 组织性能
• 页码范围: 78-81
• 页数: 4页
• 分类号: TG166.3
• 字数: 2731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2007.05.018

摘要

纯度99.988%的铝箔在300,400和500℃分别进行0.5,1和2h真空退火,然后利用电容法,间接测出退火箔的氧化膜厚度.用扫描电子显微镜观察部分退火箔的腐蚀形貌,测出相应的比电容.结果表明,在400℃退火时,铝箔的氧化膜厚度最小,300℃居中,500℃最大.在300℃退火时,随着保温时间的延长,铝箔的氧化膜厚度减小;而在400℃和500℃退火时,氧化膜厚度增大.500℃退火的铝箔,表面微量元素的分布接近于平衡状态,分布较均匀,铝箔表面腐蚀孔坑较细小,蚀坑密度大,比电容较高.而低温退火的箔样,微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近,使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑,降低了比电容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛卫民	北京科技大学材料学院	351	4505	35.0	51.0
5	何业东	北京科技大学材料学院	40	202	9.0	10.0
6	杨宏	北京科技大学材料学院	12	186	6.0	12.0
7	吕亚平	北京科技大学材料学院	3	11	2.0	3.0