自蔓延高温合成制备二硅化钼基材料的研究进展

• 作者: 张光业 张厚安 许剑光 颜建辉
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 自蔓延高温合成 二硅化钼 复合材料
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 69-71,75
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.04.017

摘要

自蔓延高温合成技术因具有低成本、反应速度快和转化率高等许多优点,成为制备二硅化钼基材料的有效方法.介绍了自蔓延高温合成二硅化钼的机理和影响因素,非常规SHS技术和SHS与加工技术联用在制备二硅化钼以及二硅化钼基复合材料中的应用,在此基础上指出了自蔓延高温合成制备二硅化钼基材料今后的研究重点和发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜建辉	湖南科技大学材料表面工程研究所	62	412	13.0	16.0
2	张厚安	湖南科技大学材料表面工程研究所	67	437	12.0	15.0
3	张光业	湖南科技大学材料表面工程研究所	31	229	8.0	14.0
4	许剑光	湖南科技大学材料表面工程研究所	14	70	5.0	7.0