用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系

• 作者: 卢文娟 孔祥东 张玉林 郝慧娟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 曝光剂量 刻蚀深度 反差 吸收能量密度
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1377-1380
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2534字
• 语种: 中文

摘要

为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系.选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符.当剂量在20～35 μC/cm2间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系.采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉林		18	76	5.0	8.0
2	卢文娟		12	47	4.0	6.0
6	孔祥东		12	74	4.0	8.0
7	郝慧娟		8	44	4.0	6.0