45 nm工艺与关键技术

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 45 nm工艺 193 nm ArF光刻技术 低k电介质技术 高k电介质技术 应变硅技术
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 863-867
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.09.004

摘要

介绍了45nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等.英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346 μm2.指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片.说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0