基于65 nm工艺的SOC物理设计中的关键技术研究

• 作者: 沈良伟
• 来源期刊: 物联网技术
• 关键词: 65GP 低功耗 拥塞 信号完整性 签核
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TP368.11
• 语种: 中文

摘要

随工艺的演进，集成电路发展已经进入超深亚微米阶段，芯片的成本、性能、功耗、信号完整性等问题将成为制约SOC芯片设计的关键问题。文章基于65GP工艺的实际项目模块级物理设计，在现超深亚微米下，对芯片的低功耗、congestion、信号完整性等后端物理设计等关键问题进行了细致研究，并提出了一些新方法和新思想，从而提高了signoff的交付质量，完成了tapeout要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈良伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	9	1.0	1.0