IGBT^4技术提高了应用性能：半导体技术与封装——完美的匹配

• 作者: 拉尔夫·安纳克 赖茵哈特·赫茨
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT^4 CAL^4二极管 SEMITRANS模块 变频器
• 年，卷（期）: bpqsj_2007,（7）
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TM341

摘要

本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS模块采用的新GBP半导体技术之间的区别，并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS模块所带来的性能提升。