低压高速LDO电路系统的分析与设计

• 作者: 刘凡 吴金 姚建楠 黄晶生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: LDO 频率补偿 Hspice 瞬态响应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 259-262
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.069

摘要

在基本LDO电路结构及其频率特性分析的基础上,分析了常规LDO电路动态特性局限产生的根源,并重点讨论了基于NMCNR、AFFC及自适应偏置三种运放结构大电流负载驱动的高速LDO电路设计,分析、比较了不同补偿方式对系统动态性能和稳定性的影响.采用CSMC 0.6 μm CMOS工艺,通过Hspice完成了电路性能的模拟,实际结果验证了电路在负载瞬态调节性能上的明显改善和提高.