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摘要:
介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHFRFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为18dBm.
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文献信息
篇名 零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 接收机 超高频段射频识别系统 零中频 互补金属氧化物半导体低噪声放大器
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 450-453
页数 4页 分类号 TN722
字数 1389字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赖宗声 华东师范大学微电子电路与系统研究所 136 779 13.0 18.0
2 张润曦 华东师范大学微电子电路与系统研究所 53 147 7.0 8.0
3 石春琦 华东师范大学微电子电路与系统研究所 46 133 7.0 9.0
4 曹丰文 苏州职业大学电子系 17 125 6.0 11.0
5 崔建明 华东师范大学微电子电路与系统研究所 1 7 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
接收机
超高频段射频识别系统
零中频
互补金属氧化物半导体低噪声放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
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