基于CMOS工艺的音频前置放大器的设计与实现

• 作者: 王卉 王小军 马骏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 前置放大器 音频 互补型金属氧化物半导体工艺 双声道
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 870-873
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 2955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.037

摘要

设计了一种基于CMOS技术的双声道四输入音频前置放大器芯片.芯片集成了音量控制、响度控制、可选择增益控制等功能,采用I2C介面控制,具有低失真、高可靠度等特点.放大器采用新颖的双级CMOS放大器结构,该结构简单,开环输出增益高,共模输入范围大,只有一个频率补偿电容.芯片根据国内生产线而设计制造,在ACSMC的3 μm9 V高压CMOS工艺线上流片,版图面积为3.0 mm×2.6 mm,样片经用户测试符合设计要求,可以产业化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小军	杭州电子科技大学通信工程学院	17	53	4.0	7.0