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摘要:
以InGaAsP/InP雪崩光电二极管(APD)为核心器件的红外单光子探测技术,在量子信息技术领域的广泛应用,使其成为近年的研究热点.根据InGaAsP/InP APD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点,通过APD的门控电路和实验结果分析,探讨了门模式下各种参数与暗计数率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系,为门模参数的选择提供依据.结果表明:偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择,对提高探测器性能起着关键的作用.
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文献信息
篇名 基于APD门模式的单光子探测器的性能分析
来源期刊 技术与市场(上半月) 学科 工学
关键词 单光子探测 雪崩光电二极管 门模式
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 专题研究
研究方向 页码范围 35-37
页数 3页 分类号 TL81
字数 3305字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-8554.2007.02.040
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 万钧力 三峡大学电气信息学院 63 439 11.0 18.0
2 艾青 三峡大学电气信息学院 3 17 2.0 3.0
3 罗海月 三峡大学电气信息学院 2 8 1.0 2.0
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研究主题发展历程
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技术与市场
月刊
1006-8554
51-1450/T
大16开
四川省成都市
62-125
1980
chi
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29073
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