P+PIN结构的650 nm光电探测器的研究

• 作者: 孔谋夫 林聚承 潘银松
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 光学吸收 响应度 P+PIN
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 2218-2221
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 2645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2007.10.017

摘要

研究了一种新型P+PIN结构的硅650 nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650 nm光电探测器的0.30 A/W提高到了0.380 A/W,且具有约279 MHz的较高响应速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘银松	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	57	365	11.0	17.0
2	孔谋夫	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0
3	林聚承	重庆电子职业技术学院电子工程系	1	1	1.0	1.0