化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

• 作者: 刘星辉 唐东升 曾春来 海阔 羊亿 袁华军 解思深
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化锡 纳米线 针状纳米结构 化学气相沉积法(CVD)
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 6531-6536
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.062

摘要

以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.