基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件

• 作者: 杨广华 牛萍娟 王伟 黄春红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体工艺 Si基光发射器件 边缘发光 光电集成电路 光互连
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 615-618
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2|TN304.12|TN305
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.012

摘要

基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35 μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件.在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75 V,反向击穿电压为8.4 V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12 V)内稳定工作.总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析.该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	杨广华	天津工业大学信息与通信工程学院	25	94	6.0	8.0
3	王伟	天津工业大学信息与通信工程学院	21	65	4.0	7.0
4	黄春红	天津工业大学信息与通信工程学院	3	7	1.0	2.0