甲乙类电流记忆单元中电荷注入误差的消除

• 作者: 孙泳 来逢昌
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 开关电流 甲乙类电流 电荷注入误差 存储单元
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息技术
• 页码范围: 108-111
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2008.02.028

摘要

针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置.设计了一种具有极低电荷注入误差的甲乙类开关电流存储单元电路.采用上华半导体有限公司(CSMC)的5 V,0.6 μm双层多晶双层金属互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺对存储单元进行设计.模拟结果表明:改进后的存储单元可工作在2.5～5 V电压条件下;在输入频率为500 kHz,幅度为50 Μa正弦电流,采样信号频率10 MHz条件下,输出电流的误差仅为未采用补偿方案的单元电路误差电流的0.212 %,同常用的伪MOS开关补偿方法相比,误差电流减小了85.5 %.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	来逢昌	哈尔滨工业大学微电子中心	31	200	7.0	12.0
2	孙泳	哈尔滨工业大学微电子中心	3	16	3.0	3.0