醇热还原法包覆超微Si3N4粉体

• 作者: 姚奎鸿 左佃太 王耐艳
• 来源期刊: 浙江理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 包覆 钌 醇热还原
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料
• 页码范围: 195-198
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.758
• 字数: 2655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3851.2008.02.017

摘要

针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富含N-H键的特性,以RuCl3为钌源,采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆.并利用傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱分析(UV-Vis)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征.研究结果表明,在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒.并对钌包覆层的形成机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王耐艳	浙江理工大学材料工程中心	32	47	4.0	6.0
2	姚奎鸿	浙江理工大学材料工程中心	47	201	10.0	12.0
3	左佃太	浙江理工大学材料工程中心	2	1	1.0	1.0