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摘要:
环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等.综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想.展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题.
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文献信息
篇名 环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究
来源期刊 吉林大学学报(信息科学版) 学科 工学
关键词 Ca2Si晶体 直接带隙材料 太阳能电池
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 电子科学与技术
研究方向 页码范围 459-464
页数 6页 分类号 TN304.2
字数 4012字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-5896.2008.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢泉 贵州大学电子科学与信息技术学院 133 486 12.0 17.0
2 周文娟 贵州大学电子科学与信息技术学院 12 12 2.0 2.0
3 任雪勇 贵州大学电子科学与信息技术学院 7 72 1.0 7.0
4 崔冬萌 贵州大学电子科学与信息技术学院 12 34 3.0 5.0
5 付姗姗 贵州大学电子科学与信息技术学院 5 5 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
Ca2Si晶体
直接带隙材料
太阳能电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
吉林大学学报(信息科学版)
双月刊
1671-5896
22-1344/TN
大16开
长春市南湖大路5372号
1983
chi
出版文献量(篇)
2333
总下载数(次)
2
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16807
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