环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展

• 作者: 余志强 肖清泉 谢泉 赵珂杰
• 来源期刊: 中国光学与应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2Si 半导体薄膜 材料制备
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 446-451
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1531.2010.05.005

摘要

介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展.从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述.研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点,被视为是一种新型的环境友好半导体材料.在Mg2 Si薄膜的外延生长技术方面,目前比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种,但普遍存在制备条件较苛刻,成膜质量不高等缺点.最后,对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		5	6	1.0	2.0
2	赵珂杰		1	4	1.0	1.0
3	肖清泉		2	5	1.0	2.0