W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究

• 作者: 刘玉岭 李咸珍 江焱
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钨钼合金 化学机械抛光 去除速率 表面活性剂 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 542-546
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.411|TN305.2
• 字数: 3976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.09.011

摘要

阐述了金属化学机械抛光的机理.将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率.采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响.实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为:压力0.06 MPa,流速160 mL/min,转速60 r/min,pH值10.1～10.3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	江焱	河北工业大学微电子研究所	2	14	2.0	2.0
3	李咸珍	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0