沿〈111〉晶向冲击加载下铜中纳米孔洞增长的塑性机制

• 作者: 伍登学 祝文军 经福谦 贺红亮 邓小良
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米孔洞 冲击加载 单晶铜 晶向 性机制 分子动力学方法 位错结构 运动特点
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.11

摘要

用分子动力学方法计算模拟了单晶铜中纳米孔洞（约φ1．3nm）在〈111〉晶向冲击加载过程中的演化及其周围区域发生塑性变形的过程。模拟结果的原子图像如图1所示，其中活塞速度为500m／s，图中所示为4族连续三层穿过孔洞中心的{111}晶面在4000个时间步时（处于拉伸应力状态）的原子排列图像。从面心立方铜晶体中位错成核及运动特点可知，当位错在{111}面上成核和运动后，将产生层错和部分位错结构，我们正是根据此特点来判断在某{111}晶面上是否有位错的成核和运动。从图1可以看到，沿〈111〉晶向冲击加载后，