聚焦离子束研磨Au—Ti—GaAs薄膜引起损伤的研究

• 作者: 徐天伟 杨卫国 杨海 谢雪冰 谭勇文
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚焦离子束 非晶层 蒙特卡罗方法 光电子器件
• 年，卷（期）: cldbnmyxclzj_2008,（1）
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: O346.5

摘要

通过分析纳米孔的透射电子显微镜（TEM）截面图像和蒙特卡罗理论模拟，研究了聚焦离子柬（FIB）研磨Au-Ti-GaAs薄膜的基本性能。应用蒙特卡罗方法模拟FIB研磨三层薄膜的损伤深度与离子能量大小的关系，由于材料不同的阻止本领和晶体结构等因素对损伤深度的影响，随着离子能量的增大，损伤深度并非线性增加。同时，溅射物质的重沉积也影响着纳米孔的形貌，对此也作了系统的分析和探讨。