纳米晶Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3薄膜的外延生长与介电特性

• 作者: 唐新桂 杨中服
• 来源期刊: 广东工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 介电调谐特性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TB304
• 字数: 2161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7162.2008.01.003

摘要

用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3:ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新桂	广东工业大学物理与光电工程学院	26	71	5.0	6.0
2	杨中服	广东工业大学物理与光电工程学院	6	11	3.0	3.0