实现R-Port电路的Set-C单元的两种设计

• 作者: 周端 徐阳扬 杨银堂 罗玲玉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GALS方法 r-port电路 set-C单元 仿真 延时 功耗
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 各种电路设计、分析及应用
• 页码范围: 1223-1225,1231
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 2756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.039

摘要

提出了实现r-port电路的set-C单元的两种不同实现方案set-C1与set-C2,给出了r-port电路及set-C1与set-C2的管级电路图,并分析了它们的工作原理.基于0.25 μm标准CMOS无比(ratioless)工艺,给出了r-port电路的仿真图及set-C1与set-C2在上升延迟与平均功耗特性方面的HSPICE对比曲线.仿真结果表明,set-C1、set-C2的最小上升延迟分别为0.154 ns和0.244 ns,比值为1:1.58; set-C1较set-C2节省的最大功耗可达31%.由此得出set-C1较佳的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	周端	西安电子科技大学微电子学院	54	399	11.0	17.0
3	徐阳扬	西安电子科技大学微电子学院	13	46	5.0	6.0
4	罗玲玉	西安电子科技大学微电子学院	2	0	0.0	0.0