化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展

• 作者: 吴一 崔占奎 邹正光 龙飞
• 来源期刊: 无机盐工业
• 关键词: 化学水浴沉积 硫化锌薄膜 Cu(In,Ga)Se2太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 综述与专论
• 页码范围: 8-10,18
• 页数: 4页
• 分类号: TQ132.41
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4990.2008.04.003

摘要

硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料.分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化.简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)se2薄膜太阳电池方面的应用.最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	31	506	12.0	21.0
2	邹正光	桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	60	837	18.0	26.0
3	吴一	桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	20	158	7.0	11.0
4	崔占奎	桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0